研究实现外延二维半导体晶圆的干法转移。 5月14日，《自然-通讯》在线发表了松山湖材料实验室研究员张广宇团队最新成果。他们在国家重点研发计划、国家自然科学基金等项目的资助下，研究实现了晶圆级单层二硫化钼薄膜的高质量转移。
Se辅助干法转移晶圆尺寸二维半导体二硫化钼薄膜的转移技术流程。研究团队供图
Se辅助转移的二维二硫化钼单层薄膜的相关材料表征。研究团队供图
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研究团队创新性地提出了一种低熔点金属作为转移介质的全干法转移二维半导体薄膜新策略，成功实现了晶圆级单层二硫化钼薄膜的高质量转移。这种低熔点金属转移介质可以用物理加热蒸发的方法完全去除，且在二硫化钼表面无任何残留。转移后的薄膜具有接近100%的膜完整性和高表面/界面清洁度。
与传统转移技术相比，低熔点金属辅助干法转移获得的二硫化钼薄膜质量有显著提升，基于该转移策略所构筑的场效应晶体管和逻辑电路均表现出良好的电学性能。相应二硫化钼场效应晶体管的电子迁移率和开关态电流比分别可达71.3 cm2·V-1·s-1和2.7×1010。
该项创新性研究结果为二维半导体薄膜的规模化制造提供了新的技术路径，对推动高性能二维半导体器件的发展具有重要意义。相关技术有望在未来二维半导体制造领域获得广泛应用。（来源：中国科学报 朱汉斌）
相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41467-025-59803-1
作者：张广宇等 来源：《自然—通讯》
