中国科大在天然超导异质结中发现新奇电子结构。图：4Hb-TaS2单晶不同解理面的电子结构
在此基础上，研究团队对表面1T-TaS2层开展了系统的变温与原位碱金属表面掺杂研究，揭示出更多超越标准图像的新现象：一方面，平带与CDW能隙在CDW转变温度以上依然存在，表明体系中可能存在表面短程CDW序导致的赝能隙行为；另一方面，随着连续的钾表面掺杂，其诱导出的新平带与原空穴型能带往相反的能量方向移动，揭示了巡游电子的重要作用，超出了此前在1T-TaS2中建立的传统双组分局域物理图像。
这些实验结果为理解4Hb-TaS2这一神秘异质结中多种电子序的反常共存，以及表面与体材料物性的显著差异提供了全新的视角。
中国科大为论文的第一单位，中国科大博士生孙秀鹏、魏志远为论文的共同第一作者，中国科大陈仙辉、何俊峰教授为论文的共同通讯作者。该研究得到教育部、中国科学院、中国科大、中央高校基本科研业务费专项资金等资助。
论文链接：https://www.pnas.org/doi/10.1073/pnas.2609173123
来源：中国科大
